山東力冠微電子裝備

產(chǎn)品展示


產(chǎn)品分類(lèi)

暫無(wú)數(shù)據(jù)

暫無(wú)數(shù)據(jù)

聯(lián)系方式


地址:濟(jì)南市槐蔭區(qū)濟(jì)南寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園

電話:15562450816

郵箱:liguan1218@163.com

坩堝下降法(vb)長(zhǎng)晶爐

本設(shè)備主要用于氧化鎵(Ga2O3)單晶生長(zhǎng)(無(wú)銥法),將原料放在垂直的坩堝內(nèi), 然后從坩堝尖端開(kāi)始通過(guò)預(yù)設(shè)好的溫度梯度區(qū)作定向凝固。通過(guò)緩慢降溫而生長(zhǎng)出單晶。

HVPE外延爐——臥式

本設(shè)備主要用于氮化鎵(GaN)單晶生長(zhǎng);還可用于氧化鎵(Ga2O3)、氮化鋁(AIN)、 磷化銦(InP)、砷化鎵(GaAs)等外延生長(zhǎng)。

HVPE外延爐——立式

本設(shè)備主要用于氮化鎵(GaN)單晶生長(zhǎng);還可用于氧化鎵(Ga2O3)、氮化鋁(AIN)、 磷化銦(InP)、砷化鎵(GaAs)等外延生長(zhǎng)。

坩堝下降長(zhǎng)晶爐

本設(shè)備主要用于砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等化合物晶體生長(zhǎng)。設(shè)備由機(jī)架、安瓿支撐機(jī)構(gòu)、加熱器和控制系統(tǒng)組成,能夠?qū)崿F(xiàn)安瓿移動(dòng)和轉(zhuǎn)動(dòng)的精確控制。

導(dǎo)模法長(zhǎng)晶爐

本設(shè)備主要用于氧化鎵(Ga2O3)單晶生長(zhǎng),將原料放在留有狹縫的模具中,熔液借虹吸作 用上升到模具頂部,受籽晶誘導(dǎo)結(jié)晶生長(zhǎng)成單晶。

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